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IXTA12N50P
IXTI12N50P
IXTP12N50P
20
18
16
Fig. 7. Input Admittance
27
24
21
Fig. 8. Transconductance
14
18
T J = - 40oC
12
10
8
T J = 125 oC
25oC
- 40oC
15
12
9
25oC
125oC
6
4
2
0
6
3
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V G S - Volts
I
D
- Amperes
35
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
30
25
20
15
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 6A
I G = 10m A
10
5
0
T J = 125 oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V S
D
- Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
100
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
1000
100
C iss
C oss
C rss
10
R DS(on) Lim it
T C = 25oC
25μs
100μs
1m s
10
1
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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